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美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目预计2028下半年出货HBM

创工实验室资讯网2026-07-18 05:38:13【休闲】0人已围观

简介美光科技MU.US）于当地时间7月4日周六）正式宣布启动位于日本广岛的工厂扩建工程。该项目总投资额高达1.5万亿日元约合93亿美元），核心目标是提升高带宽存储器HBM）等先进存储芯片的产能，以应对人工

美光科技（MU.US）于当地时间7月4日（周六）正式宣布启动位于日本广岛的美光目预工厂扩建工程。该项目总投资额高达1.5万亿日元（约合93亿美元），科技核心目标是投资提升高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片的产能，以应对人工智能（AI）爆发式增长带来的亿美元扩强劲市场需求。

战略定位：HBM作为英伟达（NVDA.US）AI处理器的建先进存计下核心组件，其供应能力直接制约AI算力的储芯出货扩张。美光此次扩产旨在巩固其在高端存储市场的片项竞争力。
出货时间表：根据规划，半年广岛工厂预计将于2028年夏季左右开始正式出货。美光目预
行业背景：当前全球存储芯片巨头正加速产能布局。科技近期，投资美光、亿美元扩三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）均相继公布了各自的建先进存计下扩产计划，以抢占AI存储市场先机。储芯出货

与此同时，片项主要竞争对手SK海力士也宣布了重大投资计划。本周早些时候，SK海力士宣布拟投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂，进一步加剧了全球存储芯片制造领域的竞争态势。

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