2026年中产业观察丨AI驱动超级周期　国产存储双雄享受涨价红利

新华社北京7月9日电《经济参考报》7月9日刊发深度报道《2026年中产业观察丨AI驱动超级周期 国产存储双雄享受涨价红利》。年中文章指出，产业产存储双2026年上半年，观察丨全球存储行业在AI算力需求的驱期国强劲驱动下，步入罕见的动超超级景气周期。长鑫科技实现从年亏百亿到日赚三亿的周价红惊人逆转，长江存储则以1600亿元估值冲刺IPO。雄享依托本轮行情，受涨国内存储两大龙头业绩与市值双升，年中以“双雄”为核心的产业产存储双产业集群加速成型，清晰勾勒出中国国产存储产业崛起的观察丨宏大轮廓。

供需缺口持续扩大，驱期国涨价趋势有望延续

据集邦咨询现货与合约价跟踪报告显示，动超2026年上半年全球存储芯片行业正处于“十五年一遇”的周价红超级景气周期。DRAM（动态随机存取内存）与NAND闪存合约价格连续两个季度大幅攀升，雄享并迅速传导至消费终端。监测数据显示，上半年16GB DDR5内存及1TB固态硬盘的终端价格较2025年同期涨幅均超过130%，供需失衡态势贯穿整个上半年。

本轮涨价并非传统的周期性反弹，而是由AI算力需求主导的结构性变革。随着全球大模型训练与推理需求激增，AI服务器单机内存搭载量达到传统数据中心服务器的10倍以上。机构预测，2026年AI相关DRAM需求占比将突破53%。在供给端，三星、SK海力士、美光等海外巨头优先将先进产能投向高附加值的AI存储产品，大幅压缩通用存储产能。高盛与集邦咨询等机构一致判断，当前存储供需紧张格局至少将持续至2027年下半年。

从宏观视角审视，存储芯片正从传统电子元器件跃升为算力基础设施的核心稀缺资源，行业周期性波动逻辑被AI长期需求彻底重构。这意味着本轮景气周期不再是消费电子驱动的短期脉冲，而是进入结构性紧平衡阶段。对于国产存储厂商而言，这既是难得的历史窗口期，也是检验其产能爬坡、技术迭代及供应链管理能力的关键时刻。

业绩拐点全面显现，资本化进程显著提速

在行业超级周期的催化下，国产存储“双雄”迎来了业绩爆发与资本化进程的双重拐点。

作为国内唯一实现规模化量产的DRAM垂直整合制造企业，长鑫科技在2026年上半年实现业绩跨越式反转，彻底扭转此前连续亏损的局面。根据更新后的科创板IPO招股书业绩预告，长鑫科技2026年1至6月预计实现营业收入1100亿元至1200亿元，归母净利润区间为500亿元至570亿元，同比增幅最高达2544.19%。以半年度业绩中位数测算，企业日均盈利接近3亿元，创下国内晶圆制造企业半年度盈利新高。

长鑫科技通过优化产能与产品结构，DDR5、LPDDR5X等高端存储产品出货占比持续攀升。叠加国产服务器与AI终端替代订单的集中落地，公司营收与利润同步放量。从全球竞争格局来看，今年一季度长鑫DRAM全球市场份额已达7.7%至8%，稳居中国大陆第一、全球第四大DRAM原厂，成功打破海外巨头长期的垄断格局。

在DRAM赛道取得突破的同时，国内3D NAND闪存龙头长江存储也在加速资本化进程。5月19日，证监会公示信息显示，长江存储控股股份有限公司已在湖北证监局完成IPO辅导备案，辅导券商包括中信证券与中信建投。公开资料显示，长江存储成立于2016年武汉，是国内唯一具备3D NAND闪存自主研发及全流程量产能力的IDM企业，业务涵盖芯片设计、制造、封测及系统解决方案。2025年，其全资子公司长江存储科技有限责任公司以1600亿元估值入选《胡润全球独角兽榜》，位列全球第21位、中国十大独角兽，成为国内半导体领域估值最高的头部科创企业。

业界认为，国产存储“双雄”的跨越式发展，是行业周期红利与国产化逻辑共振的必然结果。国内云厂商与AI算力企业加速导入本土供应链，国产存储产能优先保障区域订单，出货规模持续攀升。双雄相继资本化，标志着国产存储产业彻底告别长期烧钱研发阶段，迈入良性循环的自我造血周期。行业景气高位登陆资本市场，将助力企业以更高估值募资扩产，为技术攻关与产能爬坡筑牢资本基础。

龙头牵引产业集群，产业生态实现跃迁

国产存储“双雄”的突围，并非孤立的企业个案，而是中国半导体产业从单点技术突破向全域生态构建跃迁的缩影。依托两大龙头牵引，合肥与武汉两大产业集群错位布局、协同发力，共同打造具备全球竞争力的存储产业高地。

扎根合肥的长鑫科技，依托长三角完善的半导体产业配套，走出了一条稳健的DRAM突围路径。企业以17nm成熟工艺为根基，采取“先稳后进、以量提质”的发展策略，在夯实通用存储市场基本盘后，稳步向DDR5、LPDDR5X高端产品迭代升级。叠加本土算力终端订单加持，产能消化确定性增强，使其在本轮行业上行周期中充分释放盈利潜力。

位于武汉光谷的长江存储，则以“链主”身份带动区域存算产业集群协同发展。据湖北省经信厅介绍，当地聚焦存算一体芯片、下一代闪存、先进封装等核心赛道，强化高端芯片研发创新，遵循“巩固新优势、开辟新领域、布局新赛道”的思路优化产业布局，全力建设世界级存算一体化产业基地。

在龙头牵引之下，国内光电子与存储相关领域的创新成果密集涌现：国家信息光电子创新中心研制出250GHz带宽光子集成芯片，芯动科技推出全球首款120通道PCIe Gen5交换芯片，光谷实验室联合华中科技大学研发出360TB超大容量玻璃硬盘……一系列“全球首创”成果的落地，印证我国信息产业正从跟跑为主，加速向并跑、领跑阶段跨越。

同济大学国家创新发展研究院研究员宫超表示，本轮存储超级周期由AI算力刚性需求与供应链自主可控两大核心因素共振驱动，为国产存储原厂及配套产业链带来了历史性成长窗口。相关支撑要素具备长期性，行业高景气周期有望持续。在此背景下，国产存储企业将加快资本积累与技术迭代，本土产业链协同效率持续提升，上游材料、设备等配套环节的国产化进程将进一步提速。

业内专家同时提示，国产存储产业仍面临多重现实挑战：
* 技术层面：HBM等高端存储市场仍由海外三家巨头垄断，国内在先进工艺与高端架构上存在技术壁垒；
* 市场层面：不排除海外巨头后续通过集中扩产、发动价格战挤压本土企业生存空间；
* 产业层面：全链条一体化运营能力仍有短板，头部企业产业链统筹调度效能有待提升；
* 人才层面：HBM、高速固件等高端领域核心研发人才集中于海外，国内人才供给缺口制约高端产品产业化落地。

业内人士表示，把握本轮AI存储超级周期机遇，持续补齐技术、人才、产业链短板，深化集群协同创新，将是国产存储产业巩固崛起态势、跻身全球第一梯队的关键。

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