SK海力士全球首发12层HBM4量产交付英伟达Vera Rubin平台

2026年7月15日，海力SK海力士宣布正式启动面向英伟达（NVIDIA）的士全12层HBM4量产交付工作，目前相关产品已全面进入产能爬坡阶段。球首作为全球首款通过全部质量认证并投入大规模量产的发层付英HBM4产品，该芯片将直接赋能英伟达下一代AI计算平台Vera Rubin。产交此次交付标志着SK海力士从工程样品阶段正式迈入商业化量产新纪元。伟达

技术性能显著跃升

相较于前代HBM3E，海力HBM4在核心指标上实现了突破性升级：

• 带宽翻倍：数据传输通道数量由1024条扩展至2048条，士全整体带宽提升一倍。球首
• 速率超标：运行速率突破10Gbps，发层付英远超JEDEC标准规定的产交8Gbps上限。
• 算力增强：单颗12层封装产品的伟达每秒数据处理能力超过2TB。
• 能效优化：能效较上一代提升逾40%，海力在典型AI负载下，士全整体计算性能最高可提升69%。球首

市场份额与硬件配置预测

行业分析机构预测，SK海力士将在2026年占据全球HBM4市场约54%的份额，确立领先地位。在硬件配置方面：

• 英伟达Vera Rubin：其架构GPU最高支持288GB HBM4显存配置。
• AMD Instinct MI455：该平台有望搭载高达432GB的HBM4容量，进一步巩固其在高性能计算领域的竞争力。

产能扩张与龙仁工厂进展

自2026年9月起，SK海力士将进一步扩大HBM4的出货规模。与此同时，其位于韩国龙仁的半导体园区Y1晶圆厂正加速推进产能建设：

1. 设备采购：已启动先进DRAM制造设备的采购工作。
2. 投产提前：原计划于2027年5月投产的首座洁净室，现已提前至2027年2月开展试生产。
3. 调试完成：预计于2027年3月至4月完成全部设备的安装与调试。

该厂区初期月产能约为2万片晶圆，主要目标是量产采用第六代10纳米级1c工艺的DRAM芯片。产品矩阵将全面覆盖AI服务器所需的DDR、LPDDR内存以及下一代HBM4E高带宽存储器，旨在满足日益增长的高性能计算需求。

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