芝奇EXPO ULL内存性能首测曝光，相比非ULL内存提升约4%

IT之家 7 月 10 日讯，芝奇科技媒体 HardwareLuxx 于 7 月 6 日发布了 AMD EXPO Ultra Low Latency（ULL）内存的内能首L内首批评测数据。测试结果表明，存性测曝存提相较于非 ULL 版本的光相内存套装，ULL 内存带来的比非性能提升幅度有限，整体约为 4%。升约

此次测试对象为芝奇（G.Skill）新款 Trident Z5 NeoX RGB 内存。芝奇此前 IT之家曾报道，内能首L内该内存 CL28 版本的存性测曝存提首发价格远超市场预期，溢价幅度超过 79%。光相

测试样品采用 2×16GB 套装，比非运行频率为 6000 MT/s，升约主时序为 36-36-36-76。芝奇与标准 EXPO 或 XMP 内存相比，内能首L内EXPO ULL 内存的存性测曝存提主时序参数基本保持一致，其核心优化点在于缩短了写入恢复时间（tWR）。

在游戏性能测试中，《F1 25》的表现提升最为显著。ULL 套件的性能比 DDR5-6000 CL26-36-36-96 套件高出 4.2%，较 JEDEC 标准的 5600 MT/s 内存提升幅度接近 14%。

在《赛博朋克 2077》中，ULL 内存相比标准 EXPO 内存快约 3.7%，相比 JEDEC 标准快 12.7%。而在《弧光猎人》（Arc Raiders）、《博德之门 3》（Baldur's Gate 3）以及《Counter-Strike 2》等游戏中，并未记录到明显的性能增益。

在生产力应用测试方面，HardwareLuxx 指出，在 7-Zip 压缩测试中，ULL 与非 ULL 内存的性能差异微乎其微。AIDA64 基准测试结果显示，内存的复制与读取吞吐量基本持平，但 ULL 内存的写入吞吐量比标准 EXPO 内存高出 9.4%。

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