全球首发：国产镓仁半导体建成6/8英寸氧化镓同质外延量产线

IT之家 7 月 6 日消息，全球杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）于今年 6 月宣布，国产依托自研的镓仁铸造法单晶生长技术与 MOCVD 外延工艺，成功建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，半导并已向头部芯片客户实现批量供货。体建同质

突破长晶瓶颈，成英寸氧大幅降低材料成本

在晶体生长环节，化镓镓仁半导体采用全球独创的外延铸造法长晶技术，实现了超厚氧化镓晶体的量产稳定生长。结合公司自有的全球超薄衬底加工技术，衬底出片量较传统工艺提升 3 至 4 倍。国产此外，镓仁铸造法显著减少了贵金属铱的半导使用量，使得衬底单片成本较以往降低 80% 以上，体建同质有效减轻了下游器件厂商的成英寸氧材料负担。

独家 MOCVD 工艺，实现高均匀性外延

在外延生长环节，技术团队针对（100）面特性优化关键工艺参数，开发出特色 MOCVD 外延工艺。这使得镓仁半导体成为全球首家且唯一一家具备商用 6 英寸氧化镓同质外延供货能力的厂商。其出品的 6 英寸氧化镓同质外延片，外延层厚度大于 10 μm，膜厚方差小于 1%，展现出优异的均匀性。

打通全流程量产，解决产业化痛点

此前，全球氧化镓同质外延片普遍面临尺寸小、产能低、均一性差等难题，难以满足大规模产业化需求。镓仁半导体此次不仅完成了全球首片 6 英寸氧化镓同质外延片的交付，更打通了“单晶-衬底-外延”的全流程稳定量产能力，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，确保批次间品质稳定可控。目前，海外多家企业及科研机构已陆续下单，多家合作客户已进入长期稳定采购阶段。

▲ 6 英寸氧化镓同质外延片已实现批量供货（右下角为镓仁 2 英寸外延片对比样）

关于镓仁半导体

据 IT之家查询公开资料，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于超宽禁带半导体领域技术研发与产业化落地的国产氧化镓材料与设备解决方案提供商。

公司核心产品体系涵盖：
* 2-8 英寸氧化镓单晶与衬底（其中 8 英寸为国际首发）
* 氧化镓垂直布里奇曼法（VB 法）长晶设备
* 2-8 英寸氧化镓同质外延片（其中 8 英寸为国际首发）

镓仁半导体致力于构建“设备-晶体-衬底-外延”的全链条产品体系，推动氧化镓技术的规模化应用。

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