新突破！长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室

7月11日，新突新型江苏省科技厅正式公布企业主导省重点实验室筹建名单。破长由长晶科技牵头、晶科技牵建江联合南京邮电大学共同共建的头筹体重“江苏省新型功率半导体重点实验室”成功入选，标志着公司在高端半导体研发平台建设上取得重大突破。苏省

聚焦四大核心方向，功率攻克共性技术瓶颈

实验室紧密围绕国家“双碳”战略、半导能源安全以及集成电路全产业链自主可控的点实核心需求，精准对接江苏省“1650”现代化产业体系中新型功率半导体领域的验室关键痛点。重点聚焦以下四大技术方向开展深度攻关：

1. 高性能SGT产品：深耕高性能SGT（沟槽栅屏蔽晶体管）产品及先进封装技术研究。新突新型
2. 极致CSP器件：开展极致CSP（芯片级封装）器件特性研究，破长提升器件集成度与性能。晶科技牵建江
3. 高功率密度IGBT：突破高功率密度IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品关键技术。头筹体重
4. SiC MOSFET产业化：攻关第二代1200V SiC MOSFET功率器件关键技术，苏省加速产业化进程。功率

深化产学研融合，打造原创技术策源地

实验室将充分发挥长晶科技IDM（设计-制造-封装测试一体化）全产业链优势，深度融合南京邮电大学在功率器件、器件物理、集成技术及先进封测领域的深厚学术积淀与顶尖人才团队。

双方将从以下四大维度协同推进技术创新，打通从基础研究到成果转化的完整链路：
* 器件理论模型创新
* 新型功率器件创新
* 智能设计方法学创新
* 系统应用集成创新

旨在打造高压高频功率半导体领域的原创技术策源地。

里程碑式跨越，助力科技自立自强

此次获批筹建省重点实验室，是长晶科技创新平台建设历程中的重要里程碑。未来，长晶科技将严格对标省级重点实验室建设标准，全力推进筹建工作：

• 聚力攻坚：集中资源突破功率半导体关键核心技术。
• 加速转化：推动科研成果快速落地，赋能产业高质量发展。
• 贡献力量：为国家高水平科技自立自强、抢占产业科技创新制高点提供坚实支撑。

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